Brukstemperaturen til vanlig silisiumkarbidvarmeelement er 1400 grader. Brukstemperaturen til det spesielle silisiumkarbidvarmeelementet kan økes til 1600 ~ 1650 grader ved å bruke høytemperatur bløtleggingssintring, overflatesprøyting av keramikk, tilsetning av spesielle stoffer og kaldendeimpregnering i smeltet silisium og andre teknologier, og til og med opptil 1800 grad i argonatmosfære. Resistiviteten til silisiumkarbid er 50Ω·cm (20C), 27Ω·cm (300 grader), 2Ω·cm (1000 grader).
Den varme enden av det spesielle silisiumkarbidvarmeelementet er selvbundet sintret silisiumkarbid. Kaldkrysset er av samme struktur, men inneholder en tilstrekkelig mengde silisium til å øke ledningsevnen. Det er også tilsetning av aluminiumdisilicid (MoSi2) til silisiumkarbidet i den tropiske delen, og den langsiktige brukstemperaturen til det resulterende varmeelementet kan økes til 1700 grader
