Temperatur på silisiumkarbid

Brukstemperaturen til silisiumkarbidstenger: jo høyere temperaturen på silisiumkarbidstengene er, desto kortere levetid. Spesielt når ovnstemperaturen overstiger 1600 ° C, vil oksidasjonshastigheten øke og levetiden til silisiumkarbidstangen vil bli forkortet. Prøv derfor å ikke gjøre overflatetemperaturen på silisiumkarbidstangen for høy, det vil si at det er nødvendig å redusere forskjellen mellom ovnstemperaturen og temperaturen på silisiumkarbidstangen. Driftstemperaturen er så høy som 1650 ° C i et inert gassmiljø som argon og helium, og så høyt som 1700 ° C når luft reduseres. Det er et lag med silisiumdioksidbeskyttende belegg på overflaten av silisiumkarbidstangen. Hydrogen kan lett skade dette beskyttende laget og føre til at det forringes. Ekstremt tørt eller ekstremt vått hydrogen er skadelig for produktets levetid. Påføringstemperaturen for den nitrogenbeskyttende atmosfæren er begrenset til 1370 ° C, og overflatetemperaturen er for høy til å lett forårsake reaksjon av silisium og nitrogen. Overflatetemperaturen er for høy til å enkelt danne et varmeisolerende lag, som vil ødelegge ytelsen.